富士通公司繼成功量產(chǎn)64Kb 鐵電存儲器后，最近又成功量產(chǎn)了128Kb的鐵電存儲器，這給眾多的鐵電存儲器用戶(hù)帶來(lái)了方便，之前Ramtron公司主要提供64Kb和256Kb的FeRAM,
富士通此舉有力地推動(dòng)了鐵電存儲器FeRAM的技術(shù)進(jìn)步和發(fā)展！受益的是廣大的用戶(hù)??！
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富士通公司鐵電存儲器的技術(shù)優(yōu)勢
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FeRAM產(chǎn)品結合了ROM的非易性數據存儲性能和RAM的優(yōu)勢，具有較長(cháng)的讀寫(xiě)次數、高速讀寫(xiě)周期和低功耗特點(diǎn)。我們的FeRAM產(chǎn)品線(xiàn)具有多種接口和容量，包括工業(yè)標準的串行和并行接口；工業(yè)標準的封裝類(lèi)型；64Kb、128Kb、256Kb、1Mb、2Mb和4Mb, 8Mb存儲容量所有Ramtron的FeRAM產(chǎn)品具備的3大特點(diǎn)，使其不同于其他非易失性存儲技術(shù)：
快速寫(xiě)入FeRAM執行寫(xiě)操作的速度和讀操作的速度一樣快。就在總線(xiàn)速度下寫(xiě)數據而言，FeRAM對寫(xiě)入的數據變成非易失性數據并沒(méi)有延遲。與基于浮柵技術(shù)的非易失性存儲器5毫秒的數據讀寫(xiě)延時(shí)相比，FeRAM的寫(xiě)入速度只為幾十納秒，在汽車(chē)安全系統應用中必不可少。
高耐久性
FeRAM提供較高寫(xiě)入的耐久性，這就意味著(zhù)它不存在像其他非易失性存儲器件那樣。對于采用浮柵技術(shù)的非易失性存儲器而言，存在1E5時(shí)鐘周期的硬故障和無(wú)法寫(xiě)入，不適合應用于高耐久性的應用。
低功耗
FeRAM操作無(wú)需(高壓)充電激勵，因此可以降低功耗。采用浮柵技術(shù)的非易失存儲器在寫(xiě)操作過(guò)程中需要高電壓支持，而FeRAM的寫(xiě)操作只需要本身制造工藝的的電壓：5V，3V或通過(guò)提高工藝使電壓更低。
任何技術(shù)問(wèn)題或樣品需求可以隨時(shí)聯(lián)系我們！
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