愛(ài)普生與富士通聯(lián)合開(kāi)發(fā)FeRAM技術(shù)

       日前，以技術(shù)創(chuàng )新享譽(yù)世界的精工愛(ài)普生集團與富士通有限公司聯(lián)合發(fā)布了基于下一代鐵電存儲器（FeRAM）技術(shù)聯(lián)合開(kāi)發(fā)的項目成果。此項新技術(shù)創(chuàng )建了領(lǐng)先傳統FeRAM 4倍的全新的高度集成化的FeRAM存儲器核心制程，擁有令人耳目一新的超高性能，讀/寫(xiě)速度達到傳統FeRAM的 3倍，并擁有卓越的可靠性，能夠進(jìn)行超過(guò)100萬(wàn)億次的讀寫(xiě)循環(huán)操作。專(zhuān)家指出，由于這項全新的鐵電制程可以加入至現有的CMOS邏輯電路制程之中，因此很適合用于大規模制造技術(shù)的開(kāi)發(fā)。

      作為一項安全存儲器領(lǐng)域的尖端技術(shù)，FeRAM受到了普遍關(guān)注，此次精工愛(ài)普生集團聯(lián)手富士通發(fā)布的研發(fā)成果，其性能水平在全球可謂是首屈一指。據了解，早在2005年6月，雙方正式宣布聯(lián)合開(kāi)發(fā)協(xié)議之后，愛(ài)普生與富士通公司就開(kāi)始攜手致力于下一代FRAM非易失存儲器領(lǐng)域的技術(shù)開(kāi)發(fā)，并最終取得了圓滿(mǎn)成功，獲得了預期的效果。

       為了更好地將這一領(lǐng)先技術(shù)加以應用，愛(ài)普生準備將此項目成果與其所擁有的低功率CMOS技術(shù)相結合，進(jìn)一步加速其在大規模集成電路（LSI）領(lǐng)域的開(kāi)發(fā)與商業(yè)化進(jìn)程，從而用于電池驅動(dòng)式裝置和便攜式裝置的生產(chǎn)之中。而富士通公司也將基于該項項目成果繼續開(kāi)發(fā)大規模制造技術(shù)，從而使其在FeRAM適用的安全應用市場(chǎng)上充分發(fā)揮出其低功耗和高讀/寫(xiě)速度的優(yōu)點(diǎn)外，進(jìn)一步開(kāi)發(fā)內嵌式FeRAM微控制器的新市場(chǎng)，從而進(jìn)一步滿(mǎn)足多元化的消費者需求。